中國芯在EDA、設計、封測上均實現了3nm，只等光刻機突破了
近日，國產EDA廠商概倫電子表示，公司研發的關鍵EDA產品，已經支持7nm/5nm/3nm等先進工藝節點。
這意味著國內目前已經有兩家EDA廠商，其EDA產品，支持到了3nm這種最先進的工藝，另外一家是華大九天。
事實上，從現在的情況來看，國產芯在EDA、設計、封測這三個環節均實現了3nm，達到了全球領先水平，現在只有制造卡在14nm了，而制造則主要卡在光刻機上。
先說EDA，前面已經提到過，華大九天、概倫電子的EDA產品，已經實現了3nm，不過這里大家要注意的是，并不是所有的流程環節均實現了3nm，只是部分產品達到了這個工藝。
但是，只要有一個部分達到了3nm工藝，并且被客戶使用了，那么后續其它環節達到3nm也就容易了。
再說說設計這一塊，這一塊應該是國內芯片廠商的強項了，之前倪光南院士也表示，芯片設計能力，我們和世界水平是基本持平的。
目前國內能夠設計3nm芯片的廠商，并不少，華為肯定是可以的，這一點不用懷疑，麒麟9000系列是一顆5nm的芯片，而芯片設計企業一般至少要提前2年就設計芯片，意思著在麒麟9000芯片推出時，華為就已經開始著手設計3nm芯片了。
另外去年三星3nm芯片量產時，首批客戶就是中國大陸的客戶，只是是一些礦機客戶，但也說明3nm的設計水平，國內早就達到了。
最后再說一說封測，這一塊是中國大陸半導體產業的強項之一，目前國內有4大封測企業排名全球Top10，分別是長電科技、天水華天、通富微電，智路封測。
長電科技、通富微電、天水華天早就表示，自己已經具備了3nm芯片的封測能力，其中像長電科技、通富微電甚至表示，擁有4nm Chiplet的封裝能力，完全達到了全球領先水平。
可見，目前國產芯片的短板還是制造，畢竟中國大陸最先進的芯片工藝還是在14nm，與EDA、設計、封測的3nm相比，中間還隔了10nm、7nm、5nm、3nm這么4代，這4代按照正常發展，也得5-10年才行，現在還加上禁令，要追上的時間就未知了，也許10年都不定一達到。
而制造之所以這么落后，關鍵又是光刻機，國產的分辨率僅90nm，而ASML的EUV，以及先進的浸潤式DUV光刻機也不能出售給中國了，所以國產光刻機真的要突破，否則制造就一直就短板，而這個短板，將成為中國芯最關鍵的制約因素。
