國產光刻機不突破，我們EDA、設計、封測達到3nm，都是假的

最近，國產芯片產業鏈又傳出好消息了，那就是有一家國產EDA企業表示，目前公司的EDA產品，已經支持3nm節點了，這確實算是一個大突破了。

再結合之前國產芯片產業鏈的消息，有網友表示，目前我們的EDA工具已經達到3nm了，還有設計、封測芯片的能力，也都達到3nm了，卡脖子的環節一個一個被攻克，擺脫對外依賴可期。

更有夸張一點的人激動的稱，我們馬上就要實現全產業鏈3nm了，再也不怕卡脖子了，只差一步，這一步就是制造了。

說真的，這幾年國產芯片產業鏈的好消息確實不斷，各種EDA、封測、設計等等不斷突破，還有自研指令集、GPU等等也是不斷突破。

但是，我們要認清一個現實，那就是目前國內眾多的突破，如果缺少了國產光刻機的突破，那就是假的，是空中樓閣。

為什么這樣說？原因在于芯片能力，最遵循短板理論的，其實際的水平取決于最落后的那一塊。

這個怎么理解呢？比如芯片的設計、制造、封測這三個環節中，我們的真正能力決于當前最落后的制造能力，目前我們的制造能力是14nm。

而芯片制造過程，需要幾十上百種設備，幾十上百種材料，而這個真實能力，又取決于這些設備、材料中，最落后的那一環。

目前光刻機應該是我們最落后的那一環了，國產光刻機的分辨率還在90nm，是一臺干式DUV光刻機，理論上來講，能支持的最高工藝應該是65nm左右。也就是說，65nm才是我們真正的芯片能力。

所以就算我們有3nm的EDA、有3nm的芯片設計能力，能封測3nm的芯片，甚至更先進的一點，這些全部達到了1nm工藝，又能如何呢？

只要國產光刻機沒有突破，我們的真實能力就是在65nm，那么只要美國愿意，只要針對光刻機一卡，就卡死在65nm了。

所以，沒有光刻機的突破，其它的突破，都是假的，因為任何芯片，在設計出來后，最后都要制造，而制造就需要光刻機，沒有例外。

當然，話又說回來，有任何突破都是好的，不管是EDA，還是設計，或者是封測，只是我想讓大家清楚一個事實，那就是先別自嗨，扎實把基礎打牢才是正道。特別是光刻機，必須突破，否則會嚴重拖后腿。