美國390億美元芯片補貼申請限制升級，半導體企業面臨中美選邊站難題！

3月30日消息，據《華爾街日報》報導，根據美國“芯片法案”的相關規定，想要申請美國聯邦資金補助的半導體企業可能將面臨艱難的決定，因為如果接受美國資金補助在美國擴產，就需要限制他們在中國大陸進行擴產。

美國拜登政府上周公布了申請“芯片法案”補貼當中關于390億美元的芯片制造補貼的限制規定，詳細規定了半導體企業在接受美國納稅人稅金補貼資助的情況下，在中國大陸和其他受關注國家或地區的運營將面臨的限制。除了禁止獲補貼廠商先進制程產量擴大超過 5%，成熟制程產量擴大超過 10%，而且時間長達 10 年之外，還限制接受經費補貼的企業與中國等外國相關實體進行聯合研究和技術許可。詳見：美國芯片補貼申請新限制：未來10年禁止將在華先進制程擴產超5%，成熟制程擴產也要低于10%！

而這些規定讓相關企業高層、律師、分析師都覺得比預期的限制還要嚴格。因為被限制的半導體除了適用于先進軍事武器系統所需先進制程之外，也包括制造大多數電子產品所需芯片使用的傳統制程。

有行業專家表示，美國這樣的限制規定會使得很多公司保留他們是否愿意接受美國芯片法案的資助的決定。尤是其對于在中國大陸有大量業務的亞洲半導體企業來說，比如三星、SK海力士、臺積電，這些限制影響將尤其嚴重，因為這些公司多半已經在中國投資了數十億乃至上百億美元。

例如，三星在中國西安擁有一座NAND Flash 工廠，在蘇州有營運著一座封裝廠。而 SK 海力士則在中國無錫則是營運 DRAM 生產工廠，并藉在 2020年收購了英特爾在大連的 NAND Flash 工廠。至于，臺積電則是在中國南京和上海營運著兩座晶圓代工廠。

根據調研機構 TrendForce 的數據顯示，截至 2022 年為止，三星西安工廠約占全球 NAND Flash總產量的16%，而 SK 海力士無錫工廠約占全球 DRAM總產量的 12%，其大連工廠則是占 NAND Flash產量的6%。至于，臺積電的上海和南京工廠合計占該公司總代工晶圓產能的 6% 左右。因此，一旦這些產線產生不確定的影響，沖擊的將不只是這些企業本身的營運狀況，還會使得全球的相關產品供應鏈出現問題。

顯然，目前對于臺積電、三星、SK海力士等已經開始在美國建廠或有相關建廠計劃的廠商來說，現在就面臨著“選邊站”的兩難的問題。選擇申請美國“芯片法案”補貼，雖然可以彌補美國建廠成本高昂的問題，但卻未來10年在中國大陸的進一步投資將會遭到嚴格限制。而中國目前仍是全球第一大半導體消費市場，如果放棄繼續擴大投資，則有可能將逐步失去這個市場的市占率及未來機會。但是，如果選擇放棄滅國“芯片法案”的補貼，由于美國對華半導體限制政策的持續加碼，未來想要在中國進一步擴大產能，關鍵的半導體設備的獲取可能也仍將受到美國的限制，這同樣會限制其在中國繼續投資。因此，這確實是一個兩難的選擇，非常考驗相關企業的戰略眼光。

韓國貿易部長 Lee Chang-yang 最近在首爾就表示，美國對向中國大陸出口先進芯片、先進芯片制造設備的限制，將使韓國更難繼續在中國投資。不過，最終仍取決于企業本身做最后的決定。

美國商務部長 Gina Raimondo 則表示，美國拜登政府并不尋求在經濟上與中國脫鉤。“我們希望美國企業繼續在中國開展業務，并與中國開展業務。 不過，我們確實必須對美國面臨的風險睜大眼睛。”

Gina Raimondo 補充指出，中國已明確表示希望獲得最先進的美國技術，并將其納入其軍事生產技術當中。因此，“我們不能允許這種情況發生。”

有報道稱，Gina Raimondo 可能會在 2023 年秋天訪問中國大陸，以保持與北京方面的暢通溝通管道，并確保美國企業能夠在公平競爭的環境中開展業務。

而被視為美國“芯片法案”補助對象的相關半導體企業，對于這樣的態度基本上公開拒絕評論。不過，三星指出，它一直在與美國和韓國的相關政府機構進行密切溝通，以計劃在審查補貼資金細節后，確定下一步行動。

事實上，三星正在美國德州泰勒市斥資 170 億美元興建一座先進半導體晶圓廠，并于去年提出了可能在美國德克薩斯州投資 2,000 億美元建設半導體生產基地的基地。而晶圓代工龍頭臺積電去年年底則是宣布將在美國亞利桑那州晶圓廠的投資額提高到400 億美元。至于SK 海力士，則計劃在美國新建先進半導體封裝廠。

值得注意的是，SK海力士公司近期表示，通過韓國和美國政府之間的談判，其針對該公司在中國的設施營運相關不確定性問題已經被消除，并將密切觀察美國的相關做法。