得益于AI東風，存儲賽道或率先“蘇醒”，HBM將獨占鰲頭

存儲市場消費電子應用疲軟的環(huán)境下，HBM成為發(fā)展新動能，備受大廠重視。近期，三星、美光傳出將擴產(chǎn)HBM的消息。


大廠積極布局HBM

近期，媒體報道三星為了擴大HBM產(chǎn)能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備，用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉，三星計劃在天安廠建立一條新封裝線，用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM，該公司已花費105億韓元購買上述建筑和設(shè)備等，預計追加投資7000億-1萬億韓元。

此前，據(jù)三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團隊負責人黃尚俊透露，三星已開發(fā)出9.8Gbps的HBM3E，計劃開始向客戶提供樣品。同時，三星正在開發(fā)HBM4，目標2025年供貨。據(jù)悉，三星電子正開發(fā)針對高溫熱特性優(yōu)化的非導電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術(shù)，以應用于HBM4產(chǎn)品。

11月6日，美光科技宣布臺灣地區(qū)臺中四廠正式啟用。美光表示，臺中四廠將整合先進探測與封裝測試功能，量產(chǎn)HBM3E及其他產(chǎn)品，從而滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算及云端等各類應用日益增長的需求。

稍早之前，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露，美光計劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。美光HBM3E目前正在進行英偉達認證，首批HBM3E采用8-Hi設(shè)計，提供24GB容量和超過1.2TB/s頻寬。公司計劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。此前美光曾透露，預計2024年新的HBM將帶來「數(shù)億」美元的收入。


存儲賽道走出底部形態(tài)

AI人工智能行業(yè)今年快速擴張，算力需求大幅提振之后，存儲需求水漲船高，全球存儲市場規(guī)模預計在萬億之上，存儲器核心為DEAM和NAND。對于我們國產(chǎn)自主可控的芯片產(chǎn)業(yè)鏈而言，存儲領(lǐng)域的新一輪的國產(chǎn)替代在加速。

從存儲市場結(jié)構(gòu)上來看，DRAM一般是內(nèi)存，主要是運行軟件，對應PC電腦和服務器；NAND就是我們一般常說的物理存儲器，比如硬盤、U盤、刻錄光盤等，主要是做數(shù)據(jù)存儲。從市場規(guī)模來看，二者接近，都是是5000億RMB左右的規(guī)模，年化增速為10%。

對于當下數(shù)據(jù)存儲賽道的情況，我們做出以下三點分析。

其一，目前是存儲器產(chǎn)品周期的底部，三季度看好存儲產(chǎn)品去庫完成，終端產(chǎn)品價格有望回暖。2022年存儲芯片，我們的市場銷售額達5938億元，預計2023年中國存儲芯片市場規(guī)模將逼近6500億元。

一季度，存儲器的價格實際是走弱的，終端手機與服務器出貨量下降，二者是強相關(guān)關(guān)系。消費市場來看，顆粒價格觸底，然而海外經(jīng)濟周期疲弱，需求并未見到放量。6月份，老美有停止加息的預期，疊加全球各經(jīng)濟體會拿出更多刺激經(jīng)濟措施，本月各行業(yè)出現(xiàn)拐點的可能性較大。存儲器預計供需改善，但產(chǎn)能不足，存儲器進入漲價周期可能性較大。

其二，自主可控2.0時代，存儲產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化替代加速，產(chǎn)業(yè)鏈也正在變遷之中。

再從市場結(jié)構(gòu)來看。DRAM賽道，三星、美光、海力士占據(jù)全球95%的份額，合肥長鑫是我們的市場上最大的DRAM全產(chǎn)業(yè)鏈廠商。19納米DRAM目前量產(chǎn)穩(wěn)定，17納米處于研發(fā)之中，長鑫是全球第四家可以生產(chǎn)20納米以下DRAM產(chǎn)品的廠商。但產(chǎn)品仍處于DDR4階段，與海力士10納米DDR5內(nèi)存相比仍有較大技術(shù)差距。但從中低端產(chǎn)品序列來看，國產(chǎn)替代再加速。

在外置硬件NAND賽道來看，三星、凱俠、海力士、西部數(shù)據(jù)、美光五家共占全球97%以上的市場份額。其中，三星一家獨大，其他四家平分秋色。

長江存儲是我們最大的NAND廠商，全球份額低于5%。目前全球先進制程上，存儲器已經(jīng)開始規(guī)模量產(chǎn)232層NAND，美光是現(xiàn)在目前支撐產(chǎn)能最高的企業(yè)，長江存儲的NAND已經(jīng)逐步趕上國際領(lǐng)先水平。但缺點也明顯，在存儲顆粒的穩(wěn)定性和接口速率方面，仍需加強。

其三，AI賽道中，HBM是技術(shù)核心。HBM實質(zhì)上是一種封裝工藝，這或?qū)⒊蔀橐粋€新的A股概念。HBM將通過3D堆棧工藝，讓DRAM與GPU緊密結(jié)合，而GPU是算力技術(shù)的核心芯片，進而形成高性能的DRAM。

高帶寬的HBM3可以達到819GB每秒，數(shù)據(jù)的存儲和調(diào)用速度大大加快，普通的DRAM僅為96G每秒的帶寬。因此，HBM是AI芯片的主流服務器，英偉達和AMD的架構(gòu)都大量采用了HBM存儲器。從終端來看，HBM3存儲器的價格已經(jīng)翻了5倍，是AI諸多硬件賽道中的漲價之王。


2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3

當前HBM市場以HBM2e為主，隨著原廠不斷發(fā)力，未來HBM3與HBM3e將挑起大梁。

集邦咨詢調(diào)查顯示，當前HBM市場主流為HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計。同時，為順應AI加速器芯片需求演進，各原廠計劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。

以HBM不同世代需求比重而言，據(jù)TrendForce集邦咨詢表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量，2024年市場需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，而2024年將直接超越HBM2e，比重預估達60%，且受惠于其更高的平均銷售單價（ASP），將帶動明年HBM營收顯著成長。