部分產(chǎn)品漲價(jià)50%，存儲(chǔ)的暖風(fēng)果然到了？下游需求仍待觀察

在經(jīng)歷了此前的下行周期后，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格開始上漲。截至目前，部分型號(hào)存儲(chǔ)芯片的價(jià)格較年內(nèi)谷底上漲10%至50%不等。

行業(yè)景氣度的回升，讓存儲(chǔ)芯片行業(yè)上市公司迎來了機(jī)構(gòu)的密集調(diào)研。近日，江波龍、佰維存儲(chǔ)等多家上市公司在接受調(diào)研時(shí)表示，全球芯片市場(chǎng)狀況好轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)芯片漲價(jià)向下游傳導(dǎo)，客戶備貨積極。


部分型號(hào)漲幅達(dá)50%

從存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。

TrendForce集邦咨詢分析師王豫琪向《證券日?qǐng)?bào)》記者表示：“本輪存儲(chǔ)芯片價(jià)格在2021年第四季度觸頂后開始下行，其中NAND Flash跌幅最大。而在海外存儲(chǔ)巨頭的減產(chǎn)策略下，NAND Flash價(jià)格于2023年三季度末率先觸底反彈。”

記者從華南部分經(jīng)銷商處了解到，以NAND Flash中較為常見的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品為例，最近幾個(gè)月內(nèi)，金士頓、西部數(shù)據(jù)等品牌的產(chǎn)品都出現(xiàn)了100元左右的漲價(jià)。

中國(guó)電子商務(wù)專家服務(wù)中心副主任、天使投資人郭濤表示：“DRAM產(chǎn)品較今年谷底價(jià)格上漲約13%至18%，而部分NAND Flash漲幅則達(dá)到50%。”

不同型號(hào)的存儲(chǔ)芯片價(jià)格漲幅不同，既有上游控產(chǎn)節(jié)奏的影響，也有下游需求的影響。王豫琪表示：“在DRAM領(lǐng)域，Mobile DRAM的漲幅較為顯著，相較谷底價(jià)格上漲兩成左右；在NAND Flash領(lǐng)域，Wafer價(jià)格上漲最快，累計(jì)漲幅接近五成。”

漲幅較快的型號(hào)主要應(yīng)用在下游智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。深度科技研究院院長(zhǎng)張孝榮向《證券日?qǐng)?bào)》記者介紹：“尤其是智能手機(jī)使用的高容量NAND Flash產(chǎn)品，價(jià)格漲幅較大，但不同品牌和批次存在差異。”


存儲(chǔ)止跌，2024年市場(chǎng)有待觀察

據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，2023年第三季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比7.5%至98.12億美元，DRAM市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)22.4%至130.63億美元。整體來看，繼第二季度環(huán)比增長(zhǎng)9%之后，第三季度全球存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模再度環(huán)比增長(zhǎng)16%至228.75億美元，同比跌幅進(jìn)一步縮小到-28%。

10月16日，江波龍?jiān)诮邮芡顿Y者調(diào)研時(shí)表示，存儲(chǔ)主要市場(chǎng)中， NAND Flash的整體漲幅更為一致，DRAM不同產(chǎn)品的漲幅存在較大差異。盡管目前下游市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器的采購需求有一定的恢復(fù)，但后續(xù)的漲價(jià)幅度與漲價(jià)頻率，取決于下游終端需求能否形成持續(xù)支撐。

東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊觀察，本輪存儲(chǔ)芯片價(jià)格周期性波動(dòng)是由多重因素共同推動(dòng)的，“此前受宏觀經(jīng)濟(jì)增速放緩，消費(fèi)電子為代表的下游應(yīng)用疲軟，市場(chǎng)景氣度下降。但由于部分企業(yè)采取‘降價(jià)+減產(chǎn)’方式降庫存，加之5G、AI、自動(dòng)駕駛等新興技術(shù)快速發(fā)展，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求大幅增加。諸多因素疊加引發(fā)供需失衡，從而催動(dòng)價(jià)格生變。”

去年7月，三星傳出考慮下半年降低其存儲(chǔ)芯片價(jià)格的消息；今年4月，三星電子宣布減產(chǎn)，稱“正在將內(nèi)存產(chǎn)量下調(diào)至有意義的水平”。跟進(jìn)減產(chǎn)降價(jià)這一策略的還包括美光、SK海力士等存儲(chǔ)大廠，帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需調(diào)整。

上游企業(yè)忙著“去庫存”，下游消費(fèi)電子市況改善。今年10月以來，隨著蘋果、華為等多家公司相繼發(fā)布智能手機(jī)在內(nèi)的多款電子產(chǎn)品，消費(fèi)電子市場(chǎng)隱有抬升趨勢(shì)。根據(jù)IDC調(diào)研數(shù)據(jù)，2023年10月23日至11月3日期間，整體PC市場(chǎng)（含電商平臺(tái)、廠商官網(wǎng)及線下傳統(tǒng)渠道的筆記本及臺(tái)式機(jī)市場(chǎng)）銷量同比上升1.4%；平板市場(chǎng)銷量同比增長(zhǎng)13.5%；手機(jī)市場(chǎng)銷量同比增長(zhǎng)10.2%。

陳磊對(duì)此表示肯定。他認(rèn)為，本輪存儲(chǔ)芯片價(jià)格觸底反彈無疑是個(gè)利好的信號(hào)，下行周期正在爬坡。對(duì)于國(guó)產(chǎn)廠商而言，要把握時(shí)機(jī)轉(zhuǎn)變，為市場(chǎng)提供更高可靠性更優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，共同助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入上行周期。

但需要警惕的是，本輪存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲固然有上游減產(chǎn)、下游需求共同推動(dòng)，但基礎(chǔ)仍不穩(wěn)固。尤其下游消費(fèi)電子市場(chǎng)是否已真正回暖，尚要繼續(xù)跟蹤。11月10日，佰維存儲(chǔ)就2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)情況預(yù)判：“當(dāng)前行業(yè)正在回暖復(fù)蘇中，存儲(chǔ)器價(jià)格的波動(dòng)變化正在逐步的向下游傳導(dǎo)，刺激客戶補(bǔ)庫需求。目前看到手機(jī)端的需求有復(fù)蘇的跡象，明年的存儲(chǔ)市場(chǎng)情況還得綜合看PC和服務(wù)器等領(lǐng)域的復(fù)蘇情況。”

佰維存儲(chǔ)副總經(jīng)理、嵌入式事業(yè)部總經(jīng)理劉陽表示：“存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)變化正逐步地向下游傳導(dǎo)，刺激客戶補(bǔ)庫需求。在區(qū)域性復(fù)蘇和新產(chǎn)品升級(jí)需求的帶動(dòng)下，全球手機(jī)銷量環(huán)比回暖，進(jìn)一步拉動(dòng)存儲(chǔ)需求修復(fù)。此外，以ChatGPT為代表的新一代人工智能的快速發(fā)展帶來存儲(chǔ)需求的相應(yīng)增加。”

劉陽指出，與其他存儲(chǔ)產(chǎn)品正在復(fù)蘇的需求不同，HBM（High Bandwidth Memory 高帶寬存儲(chǔ)器）的下游需求則頗為旺盛，在下游模型及服務(wù)器廠商升級(jí)服務(wù)器需求的情況下，加上原廠增加HBM產(chǎn)量，DRAM提前完成去庫存計(jì)劃，在今年第三季度率先觸底反彈，回歸上升通道。”

事物具有兩面性。存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲也將帶來終端產(chǎn)品成本提升問題，此前就傳出“華為旗艦款平板MatePad售價(jià)上調(diào)500元，或因存儲(chǔ)價(jià)格上漲導(dǎo)致”的猜測(cè)。


國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片如何應(yīng)對(duì)？

目前中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商的產(chǎn)能規(guī)模還相對(duì)較小，中國(guó)存儲(chǔ)芯片在全球市場(chǎng)份額仍較低，也無法滿足國(guó)內(nèi)需求。據(jù)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，2023年中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額將占全球市場(chǎng)份額的15%，而韓國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額將占全球市場(chǎng)份額的60%。在這種情況下，存儲(chǔ)芯片的定價(jià)權(quán)往往受韓國(guó)、美國(guó)控制，中國(guó)如果未來要做到影響控制芯片價(jià)格，需要從以下幾個(gè)方面入手：

在技術(shù)研發(fā)方面，中國(guó)可以加大對(duì)存儲(chǔ)芯片基礎(chǔ)研究的投入，加強(qiáng)與國(guó)際先進(jìn)技術(shù)的合作，加快先進(jìn)技術(shù)的轉(zhuǎn)化和應(yīng)用。中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)正在快速發(fā)展，差距正在縮小。例如，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)量產(chǎn)了19nm的DRAM芯片，并計(jì)劃在2024年量產(chǎn)14nm的DRAM芯片。此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)量產(chǎn)了232層的NAND Flash芯片，并計(jì)劃在2024年量產(chǎn)256層的NAND Flash芯片。

在產(chǎn)能建設(shè)方面，中國(guó)可以引導(dǎo)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)加大投資，建設(shè)先進(jìn)的生產(chǎn)線。政府可以通過稅收優(yōu)惠、人才培養(yǎng)等方式，鼓勵(lì)企業(yè)創(chuàng)新，提升技術(shù)水平。

在市場(chǎng)拓展方面，中國(guó)可以鼓勵(lì)存儲(chǔ)芯片企業(yè)積極開拓國(guó)際市場(chǎng)，提升全球競(jìng)爭(zhēng)力。政府可以引導(dǎo)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)加強(qiáng)協(xié)同合作，共同開發(fā)新技術(shù)、擴(kuò)大產(chǎn)能規(guī)模、提高市場(chǎng)份額。

通過這些措施，中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)有望在未來實(shí)現(xiàn)突破，并在全球市場(chǎng)占據(jù)更大的份額，從而影響控制芯片價(jià)格。