CEO退休，ASML的EUV光刻機，已經走向絕路了
眾所周知，目前的芯片制造工藝中，光刻是必不可少的步驟，所以光刻機也是至關重要的一種設備。
光刻機的類型與工藝制程，光源波長，是一一對應，比如干式DUV光刻機，采用193nm波長深紫外線光源，制造130-65nm芯片，浸潤式DUV光刻機，采用193nm波長深紫外線光源，經水折射后，波長變為134nm，用于制造65nm-7nm的芯片。
而EUV光刻機，采用13.5nm波長的極紫外線光源，制造5nm及以下芯片。
從這中，大家基本可以看出規則，那就是光刻機精度的的提升，一個非常重要的因素，就是光源的提升，光源波長越小，精度越高，制造的芯片工藝越小。
不過到了13.5nm的EUV光刻機后，光源的波長不太可能再縮小了。
因為波長再小的話，反射角調整會導致光損失巨大，最后光能量不足，無法光刻，如果加大光能量來抗衡光損失，則需要加多反射鏡，還要加大光源系統，會導光刻機成怪物，成本巨大，體積巨大，無法生產和運輸。
事實上，除了光源波長減小之外，還可以從另外兩個方面提高光刻機分辨率：增大數值孔徑、減小光刻工藝因子。
光源波長已經不能再減小了，所以當推出了13.5nm波長的EUV光刻機后，ASML不再探索使用更短波長的光源，而是將目光放在了數值孔徑，也就是NA上。
數值孔徑是什么，其實代表的是系統可以收集和聚焦多少的光，ASML這幾代光刻機，NA不斷的增大，從最開始的0.25提升到0.33。
而ASML的下一代EUV光刻機，其NA數值孔徑會達到0.55，不過ASML也暗示，這可能是最后一供了，達到0.55之后，無法現提升了。
接著再看光刻工藝因子，但目前，ASML的EUV光刻機，通過組合使用OPC、多重圖形等分辨率技術等，其光刻工藝因子已經突破理論極限0.25了，ASML的聯席CEO表示，接下來也很難再有進步了，因為要再突破，需要所有合作伙伴一起突破，ASML沒把握。
前兩天，ASML宣布稱，聯席總裁溫寧克和范登布林克，將于明年4月份退休，不知道這兩位退休后，ASML接下來會往何方向突破？似乎路已經走到盡頭了。
