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記憶體大廠CES大秀HBM實(shí)力 AI、云端、高速傳輸新品動(dòng)能備出

2024-01-15 來源:科技網(wǎng)
2016

關(guān)鍵詞: HBM 人工智能 SK海力士

記憶體大廠在CES期間大秀HBM的技術(shù)實(shí)力,看好高階制程將翻轉(zhuǎn)產(chǎn)業(yè)景氣走勢(shì)。康瓊之?dāng)z


記憶體產(chǎn)業(yè)復(fù)甦跡象明確,AI浪潮快速興起,各家記憶體大廠積極掌握先進(jìn)制程商機(jī)作為成長動(dòng)能,隨著記憶體成為云端伺服器及AI終端應(yīng)用不可或缺的要角。


此次2024年CES期間的各大記憶體廠均以AI為聚焦重心,HBM、高速傳輸?shù)刃缕烦尸F(xiàn)百花齊放,率先搶攻記憶體從谷底翻身的成長契機(jī)。

 

儘管各大記憶體廠仍背負(fù)營運(yùn)虧損的壓力,但生成式AI採用高頻寬記憶體(HBM)推動(dòng)價(jià)格倍速翻漲,讓記憶體產(chǎn)業(yè)從過去標(biāo)準(zhǔn)化的量產(chǎn)規(guī)模競爭,走向客制化的高技術(shù)含量競爭。


近期市場傳出,大客戶NVIDIA提前支付數(shù)億美元預(yù)付款給SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron),以確保2024年AI GPU搭配HBM3E的供貨穩(wěn)定,并降低記憶體業(yè)者財(cái)務(wù)及投資的壓力。


尤其以SK海力士2023年已在HBM領(lǐng)域搶先攻下一城,取得全球市佔(zhàn)逾5成的領(lǐng)導(dǎo)地位,而三星電子(Samsung Electronics)也緊追在后。


據(jù)傳,HBM3、HBM3E陸續(xù)結(jié)束產(chǎn)品測(cè)試,可望與NVIDIA簽訂供應(yīng)合約,兩家韓系記憶體廠不僅在HBM互別苗頭,交鋒戰(zhàn)場延伸至CES展會(huì),并擴(kuò)大戰(zhàn)線至云端伺服器的記憶體介面CXL(Compute Express Link)的布局。


SK海力士在CES展示了HBM3E,號(hào)稱是業(yè)界最高的每秒1.18 TB的資料處理速度,滿足AI市場在快速處理海量資料的需求,與前一代產(chǎn)品相比,速度將提高了1.3倍,資料容量也提高1.4 倍,獨(dú)家開發(fā)的MR-MUF技術(shù)更是SK海力士的強(qiáng)調(diào)重點(diǎn),提升散熱性能約10%。


SK海力士預(yù)計(jì)將于2024年上半年量產(chǎn)HBM3E,至于CXL透過擴(kuò)展記憶體和提高AI應(yīng)用性能受到關(guān)注,預(yù)計(jì)在AI時(shí)代下將與HBM3E發(fā)揮相乘的關(guān)鍵效益。


三星針對(duì)生成式AI的DRAM方案有三大領(lǐng)域,分別為12奈米32 Gb DDR5 DRAM、HBM3E以及CXL記憶體模組產(chǎn)品。


其中,32Gb DDR5 DRAM 是目前單晶片容量最大的DRAM產(chǎn)品,而CXL介面雖然過去推動(dòng)多年,但AI商機(jī)帶來新機(jī)會(huì),三星認(rèn)為,透過在伺服器前端安裝CXL介面的模組產(chǎn)品,將能大幅增加每臺(tái)伺服器的記憶體容量,將適合用于處理大量資料的生成式AI平臺(tái)。


隨著生成式AI應(yīng)用逐漸地從云端資料中心擴(kuò)展至終端邊緣裝置,內(nèi)建AI功能的PC將在2024年先后登場推出,美光在CES展出的LPCAMM2記憶體被視為AI PC的最后一哩路,採用LPDDR5X DRAM,但更強(qiáng)調(diào)降低功耗及節(jié)省空間。


美光強(qiáng)調(diào),LPCAMM2已開始送樣,預(yù)計(jì)于2024年上半年量產(chǎn),將導(dǎo)入多家PC大廠的筆電新品。


不僅三大記憶體廠在CES大打AI商機(jī),臺(tái)廠鈺創(chuàng)也在CES首度亮相4Gb DDR3 LRTDRAMTM(Long Retention Time Dynamic Random-Access Memory),鎖定在AI應(yīng)用、KGD異質(zhì)整合封裝、車載等高溫應(yīng)用情境的創(chuàng)新型記憶體,以獨(dú)家首創(chuàng)的長效資料保存技術(shù)為重點(diǎn)訴求。


由于AI應(yīng)用在高速運(yùn)算的需求下,傳統(tǒng)DRAM受限于先天物理特性,存取效能會(huì)隨著溫度上升而衰減。鈺創(chuàng)表示,4Gb DDR3 LRTDRAM可在攝氏122度的高溫下達(dá)到超過104毫秒的100%長時(shí)保留,目前4Gb DDR3 LRTDRAM相關(guān)驗(yàn)證已經(jīng)完成,并開始送樣給客戶。



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