中國(guó)或?qū)⒘慨a(chǎn)5納米，限制光刻機(jī)供應(yīng)擋不住中國(guó)芯前進(jìn)的腳步

業(yè)界人士指出，某科技企業(yè)即將發(fā)布的芯片預(yù)計(jì)性能接近5納米，這是中國(guó)芯片的又一個(gè)重大進(jìn)展，凸顯出中國(guó)芯片行業(yè)在各方的協(xié)作下再次打破芯片工藝的限制，為國(guó)產(chǎn)芯片開(kāi)辟了新道路。

此前這家科技企業(yè)就以國(guó)內(nèi)現(xiàn)有的芯片設(shè)備生產(chǎn)出接近7納米工藝的芯片，凸顯出它的創(chuàng)新性，以及國(guó)內(nèi)諸多芯片技術(shù)人才在技術(shù)研發(fā)方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

以現(xiàn)有的DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米工藝，最早是臺(tái)積電量產(chǎn)成功的，當(dāng)時(shí)臺(tái)積電先是以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米工藝，確保7納米工藝的進(jìn)展，隨后再以EUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米工藝，進(jìn)一步提升性能。

臺(tái)積電如此做法也證明了它的正確性，三星則比臺(tái)積電提前一年以EUV光刻機(jī)生產(chǎn)7納米工藝，導(dǎo)致良率偏低、成本偏高，客戶不接受，最終大多數(shù)芯片企業(yè)都接受了臺(tái)積電的7納米工藝，三星則未能以更先進(jìn)的7納米搶到客戶。

談到臺(tái)積電先進(jìn)工藝的研發(fā)，就不得不提到臺(tái)積電前副總裁林本堅(jiān)，他被譽(yù)為浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)之父，林本堅(jiān)最先研發(fā)出浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)技術(shù)，不過(guò)當(dāng)時(shí)占優(yōu)勢(shì)的日本光刻機(jī)企業(yè)看不上，處于窘境中的ASML找上門(mén)來(lái)合作，ASML也由此迅速成為全球最大的光刻機(jī)企業(yè)，由此雙方一直合作研發(fā)浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)。

林本堅(jiān)為臺(tái)積電快速推進(jìn)先進(jìn)工藝的研發(fā)立下了汗馬功勞，他當(dāng)然清楚DUV光刻機(jī)的極限，去年林本堅(jiān)就指出中國(guó)完全可以DUV光刻機(jī)生產(chǎn)5納米，如今中國(guó)芯片企業(yè)即將量產(chǎn)5納米，印證了林本堅(jiān)的預(yù)測(cè)。

中國(guó)這家科技企業(yè)當(dāng)年也與臺(tái)積電一起推進(jìn)芯片制造工藝，從16納米一直到5納米，雙方都有合作。與蘋(píng)果只是將芯片交給臺(tái)積電生產(chǎn)不同，這家中國(guó)科技企業(yè)與臺(tái)積電一直都深入合作研發(fā)先進(jìn)工藝。

當(dāng)年臺(tái)積電量產(chǎn)的第一代16納米工藝性能較差，導(dǎo)致全球僅有兩家芯片企業(yè)采用，中國(guó)這家科技企業(yè)正是第一代16納米工藝的客戶之一，隨后雙方又合作研發(fā)16納米FinFET工藝，才獲得全球芯片企業(yè)的認(rèn)可，此后一直到5納米工藝，這家中國(guó)科技企業(yè)都是臺(tái)積電先進(jìn)工藝的嘗鮮客戶，有力地幫助臺(tái)積電提升了工藝良率。

如此做法也為這家中國(guó)科技企業(yè)積累了不少的芯片工藝研發(fā)技術(shù)，它在去年推出的5G芯片采用國(guó)產(chǎn)7納米工藝，就被認(rèn)為它出了大力；如今有望推出國(guó)產(chǎn)的5納米工藝可以說(shuō)是順理成章吧，國(guó)產(chǎn)芯片工藝的進(jìn)展，對(duì)于國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)具有很重要的意義，畢竟如今手機(jī)芯片、AI芯片都需要先進(jìn)的工藝。

國(guó)產(chǎn)先進(jìn)工藝的進(jìn)展，對(duì)于這家中國(guó)科技企業(yè)來(lái)說(shuō)同樣非常重要，它的諸多芯片諸如手機(jī)芯片、服務(wù)器芯片、AI芯片等都需要先進(jìn)工藝，但是臺(tái)積電卻無(wú)法為它代工，這促使它不得不深入芯片工藝研發(fā)，這也將幫助它進(jìn)一步搶占國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。