UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK-7L碳化硅FET
全球領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商美商聯合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布繼續擴展FET產品組合，并推出六款全新的650V和1200V產品，所有這些器件均采用行業標準D2PAK-7L表面貼裝封裝。這些最新的SiC FET可提供30、40、80和150mΩ版本，表明碳化硅器件在加速向服務器和電信電源、工業電池充電器和電源、電動汽車車載充電器和DC-DC轉換器等應用的擴展過程中又邁出了一大步。
D2PAK-7L SiC FET支持大幅提高的開關速度，通過開爾文（Kelvin）源極連接改善了柵極驅動器的回路性能，并具有業界領先的散熱能力。通過利用銀燒結技術（Ag Sintering），可以在常規PCB以及復雜的絕緣金屬基板（IMS）上完成管芯貼附。此外，它們具有出色的爬電距離（6.7mm）和電氣間隙能力（6.1mm），這意味著即使在更高電壓下也可以確保最高的操作安全性。
UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla表示：“這些最新FET由于具備快速開關能力，再加上銀燒結技術帶來的卓越散熱性能，我們將能夠繼續為電源設計人員帶來性能、可靠性、尺寸和布局等方面的優勢。”
UnitedSiC的 FET-Jet CalculatorTM完全支持新型D2PAK-7L器件，利用這一免費的在線資源，工程師可以評估具體應用所需的不同運行參數，進行詳細的性能比較，然后可以迅速、放心地確定哪種是最適合具體設計要求的SiC解決方案。
新型650V D2PAK-7L SiC FET的單價（1000片起，美國離岸價）從UF3C065080B7S的3.27美元到UF3SC065030B7S的7.54美元不等。對于1200V D2PAK-7L器件，單價為從UF3C120150B7S的3.10美元到UF3SC120040B7S的10.91美元。所有器件均可從UnitedSiC授權分銷商處購買。
