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雖然存儲市場行情回溫,但國內HBM技術仍被制約

2024-05-24 來源:賢集網
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關鍵詞: 存儲芯片 三星電子 人工智能

在經歷下行周期后,2023年第四季度開始,存儲價格開始止跌回暖,且從各大廠商公布的最新營收來看,存儲芯片市場回溫信號正逐漸凸顯。


廠商業績釋放回溫信號

從國際大廠來看,此前鎧俠、SK海力士、三星、美光、西部數據等公布的最新財報數據顯示,在AI需求加持下,各大廠商營收和利潤均表現亮眼。



其中,鎧俠、美光和西部數據均實現扭虧為盈,鎧俠2023財年第四季度財報實現營業利潤439億日元、凈利潤103億日元;美光2024財年二財季GAAP凈利潤為7.93億美元;西數今年一季度在Non-GAAP會計準則下,凈利潤為2.10億美元。而三星的存儲業務在今年一季度實現營收17.49萬億韓元,同比增長96.1%;SK海力士自去年第四季度實現扭虧為盈,今年一季度的營業利潤為2.886萬億韓元,創下2018年以來同期第二高記錄。

國內方面,近期,A股存儲板塊上市公司瀾起科技、兆易創新、江波龍、佰維存儲、普冉股份、德明利等陸續披露2024年一季度報告顯示,多家公司一季度業績實現大幅增長。其中,瀾起科技今年一季度實現凈利潤2.23億元,同比暴增1032.86%,此外,德明利、佰維存儲在當季的凈利潤也分別同比大漲546.49%和232.97%。


兩大巨頭對增產持保守態度

韓媒 Bussinesskorea 報道稱,三星電子、SK 海力士目前對于增產通用存儲芯片持保守態度。

8Gb DDR4 DRAM 通用內存的合約價在四月份環比上漲了 17%,但面向閃存盤等便攜存儲設備的 128Gb(16Gx8)MLC 通用閃存的價格卻按兵不動。

這主要是因為四月初的臺灣地區地震影響了美光內存產能,短時間內推動通用內存需求走高。整體來看通用存儲芯片的需求并未真正復蘇,下游企業仍持有相當數量的庫存。

另一方面,國際地緣政治局勢目前處于不穩定狀態。近期中東地區局勢緊張,美國大選年也對全球貿易帶來額外的不穩定因素,兩重影響交織下通用存儲芯片需求的可見度已然降低。

此外,AI 熱潮下 HBM 內存需求旺盛,而 HBM 的晶圓消耗量是通用 DRAM 的 2~3 倍。在三星電子、SK 海力士積極擴產 HBM 的背景下,通用 DRAM 的晶圓投片量勢必得到抑制。

今年下半年將迎來蘋果 iPhone 16 系列、三星 Galaxy Z 系列等重磅智能手機的發布,報道預測這波新機潮有望成為原廠增產標準存儲芯片的契機。


高價值芯片仍然供不應求

人工智能浪潮正在席卷全球,大型語言模型、生成式AI等新興技術對算力需求呈現爆發式增長。作為AI算力的重要支撐,高性能存儲芯片需求也隨之大幅攀升。存儲芯片龍頭企業敏銳捕捉到這一趨勢,紛紛加大高端存儲產品的擴產力度。

三星電子和SK海力士憑借在HBM等高價值存儲芯片領域的領先地位,將是最大贏家。HBM憑借高帶寬、高能效等優勢,廣泛應用于AI訓練和推理等算力密集型場景。三星電子預計,2024年HBM芯片產量將比2023年增長2.9倍,高于年初預測的2.4倍增速。三星還與AMD簽署了價值4萬億韓元的HBM3E供貨合同,進一步擴大HBM市場份額。

在HBM領域,三星電子的主要競爭對手是SK海力士。作為HBM技術的領先者,SK海力士正大力擴充HBM等高性能存儲產品的產能。該公司計劃投資約38.6億美元,在韓國忠清北道清州建造新的M15X晶圓廠,作為DRAM存儲芯片的新生產基地。SK海力士還將在美國投資約40億美元,建立大型芯片先進封裝工廠,以滿足HBM等高端存儲產品的需求。

除了HBM,三星和海力士在DDR5等其他高端存儲產品領域也將加大投入。DDR5相比上一代DDR4,傳輸速率提高了1.87倍,能效提升39%,非常適合AI算力密集型應用場景。預計未來幾年,DDR5將成為主流存儲器類型,三星和海力士都將從中獲益。

與三星、海力士相比,美光科技在HBM市場上暫時落后。美光正在加快HBM3e等新品上市步伐,力圖在下一代HBM市場重新奪回主導權。2024年,美光的資本開支將主要用于HBM量產和下代產品研發,以期贏得Nvidia等大客戶的訂單。

存儲芯片產能的擴張必將帶動對相關制造設備的需求增長,這為設備供應商帶來重大機遇。在先進封裝設備領域,HBM堆疊工藝對封裝材料提出了更高要求,高導熱、低填充粘度球形氧化鋁粉等材料需求將大幅增加,國內廠商有望實現進口替代。三星、SK海力士等擴大資本開支,對晶圓加工、光刻蝕刻等設備需求也將增長,國產設備企業迎來發展良機。



國產HBM產業鏈的突破之路

盡管面臨重重挑戰,但國內企業并未放棄在HBM產業鏈上的突破努力。隨著人工智能浪潮的不斷推進,以及國家對于存儲芯片自主可控的戰略需求,HBM芯片無疑將成為未來競爭的必爭之地。

近年來,國內存儲芯片企業紛紛加大了HBM技術的研發投入。以長江存儲為例,該公司已經開發出了基于28nm工藝的HBM2E產品,并計劃在2024年實現量產。雖然與三星等國際巨頭相比,工藝制程和性能指標仍有一定差距,但這無疑是國產HBM芯片邁出的關鍵一步。

國內企業也在加速布局HBM產業鏈的上下游環節。除了雅克科技在材料領域的布局外,中微半導體、華潤上華等公司也在積極開發HBM芯片的關鍵設備和工藝技術,以期實現自主可控。

值得關注的是,在政策扶持方面,國家也給予了HBM產業鏈以大力支持。從集成電路、新型存儲等國家重大專項,到地方政府出臺的各種優惠政策,都為國產HBM芯片企業的發展注入了強勁動力。



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