808nm高功率半導體激光器芯片取得顯著進展

西安立芯光電科技有限公司（以下簡稱“立芯光電”）研發(fā)團隊經(jīng)過持續(xù)地技術(shù)攻關(guān)，在808nm高功率半導體激光器芯片上取得顯著進展。

808nm半導體激光器作為理想的、高效率的固體激光器泵浦源，在先進制造、機械加工、醫(yī)療美容、激光顯示、科研與航空航天等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。隨著市場對高效能激光解決方案的需求不斷上升，高功率、高效率的激光芯片已成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素。公司研發(fā)團隊通過對結(jié)構(gòu)升級及外延技術(shù)優(yōu)化，提高了808nm高功率半導體激光器芯片的斜率效率、高溫特性及輸出功率等性能；通過優(yōu)化腔面鍍膜技術(shù)，芯片腔面的損傷閾值COMD得到提高，從而使芯片的可靠性得到大幅提升。

測試結(jié)果表明，立芯光電封裝的高功率808nm COS激光芯片，在QCW 86A下，輸出功率高達81W，最大光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）達到57%，這體現(xiàn)出該產(chǎn)品具有優(yōu)良的高溫特性，高損傷閾值和高可靠性。

這一創(chuàng)新成果的實現(xiàn)，凸顯了立芯光電在高功率半導體激光器芯片領(lǐng)域的深厚技術(shù)積累和卓越的創(chuàng)新實力。它不僅增強了公司在國內(nèi)市場的競爭地位，而且促進了采用此類高功率激光芯片作為泵浦源的固體激光器技術(shù)的進步。