從需求不振到供需失衡，存儲芯片“激勵”只需AI二字！
人工智能需求推動，疊加過去兩年資本支出不足，內存市場正迎來前所未有的“超級周期”。
摩根士丹利在周四的報告中指出，存儲將出現“前所未有”的供需失衡，內存的價格也水漲船高：
人工智能的快速發展將導致DRAM和HBM的供需失衡，預計2025年HBM的供應不足率為-11%，整個DRAM市場的供應不足率為-23%。特別是HBM的需求量將大幅增加，可能占總DRAM供應的30%。
由于DRAM供應不足，加之過去兩年的資本支出不足，沒有新的晶圓廠或大規模晶圓可用，這將為內存市場超級周期提供了動力。
內存的價格也將水漲船高，預計商品存儲產品的價格將在2024年每季度以兩位數速度上漲，2025年HBM的價格將更高，服務器DRAM和超高密度QLC固態硬盤將引領價格上漲。
進一步來看，在內存市場中的戰略地位的公司SK海力士和三星市場份額將進一步增長：
將內存行業2024-25年的每股收益預測提高了24-82%，較最新的預期共識高出51-54%；
其中，SK海力士將獨占鰲頭，我們認為市場共識對其市場份額增長潛力低估了。預計其在2025年將占據HBM市場的最大份額，利潤率也將大幅提高。
值得一提的是，客戶的行為已經發生了變化，他們現在更加重視確保能夠獲得足夠的內存供應，而不是僅僅關注價格。由于供應的不確定性，客戶愿意為確保供應支付更高的價格。
三大內存廠加緊布局HBM
SK海力士公布了HBM發展路線圖，該公司副總裁Kim Chun-hwan透露，計劃在2024上半年量產HBM3e，并向客戶交付8層堆疊樣品，在6層堆棧HBM3e配置中，每層堆棧可提供1.2 TB/s的通信帶寬，8層堆疊將進一步提升HBM內存的帶寬。
Kim Chun-hwan表示，在不斷升級的客戶期望的推動下，存儲行業正在面臨激烈的生存競爭。隨著制程工藝節點的縮小接近極限，存儲器廠商越來越關注新一代存儲架構和工藝，以給客戶應用系統提供更高的性能。為此，SK海力士已經啟動了HBM4的開發，計劃于2025年提供樣品，并于次年量產。
根據美光提供的信息，與前幾代HBM相比，HBM4每層堆棧的理論峰值帶寬將超過1.5 TB/s。為了實現這樣的帶寬，在保持合理功耗的同時，HBM4的目標是實現大約6GT/s的數據傳輸速率。
三星也有發展HBM4的時間表，計劃于2025年提供樣品，并于2026年量產。據三星高管Jaejune Kim透露，該公司HBM產量的一半以上是定制化產品，未來，定制HBM方案的市場規模將進一步擴大。通過邏輯集成，量身定制的HBM對于滿足客戶個性化需求至關重要。
三星和SK海力士之間的競爭正在升溫。
一些市場觀察人士表示，三星在HBM芯片開發方面落后于SK海力士，為了在新接口標準CXL開發中占據優勢地位，三星加快了技術研發和產品布局。
SK海力士表示，計劃加大對高帶寬內存和DDR5芯片的投資，以適應人工智能市場的增長需求。“與2023年相比，2024年的資本支出將有所增加。……我們將最大限度地提升資金利用效率”，SK海力士副總裁兼首席財務官金宇賢表示：“在2023年投資金額的范圍內，我們根據產品優先順序調整了資本支出，2024年，我們將更多地關注轉換制程工藝，而不只是增加產能。”
金宇賢表示，SK海力士將努力擴大第四代和第五代10nm級制程內存芯片的比例，到2024年底，這些新品將占據該公司DRAM產量的一半以上。不過，他表示，要達到2022年第四季度的產能水平，還需要相當長時間。
SK海力士對引領HBM市場充滿信心，預測未來5年的年均增長率將達到60%~80%。該公司DRAM營銷主管Park Myung-soo表示：“我們2024年的HBM3和HBM3e芯片產能已經售罄。根據客戶和市場觀察人士的說法，我們的HBM3產能份額非常高。”
據TrendForce統計，2023年第三季度，SK海力士擠下三星電子，成為全球最大的服務器DRAM廠商。報告顯示，2023年第三季度，SK海力士服務器DRAM銷售額達到18.5億美元，拿下49.6%的市場份額，穩居全球龍頭寶座，排名第二的三星電子，在該季度的服務器DRAM銷售額為13.13億美元，市占率為35.2%，同期內，美光的服務器DRAM銷售額為5.6億美元，市占率為15.0%，排名第三。
需要指出是，以上統計數字僅是傳統服務器搭載的DDR5內存，不包括用于AI服務器的HBM，若將HBM銷售計算在內，SK海力士領先三星電子的幅度會更大。
就整體DRAM模塊市場而言，三星電子仍穩居DRAM霸主地位，但SK海力士正在急起直追。美光排名第三，市占率為21.5%。
排名內存行業第三位的美光也在加緊布局AI服務器市場，該公司計劃在2024年第一季度量產HBM3e，以搶攻英偉達的超級計算機DGX GH200商機。美光技術開發事業部資深副總裁Naga Chandrasekaran表示，采用EUV技術量產的1-gamma制程產品，正在研發過程中，預計于2025年量產。
業界人士指出，在HBM產品開發方面，雖然美光落后三星和SK海力士近一年時間，但在新一代HBM3e產品開發和量產進度方面，該公司加快了節奏，有望在HBM競賽中扳回一城。
國產廠商誰將受益于AI浪潮？
目前，除華虹半導體（1347.HK）等少數晶圓廠商，國內存儲產業鏈廠商江波龍（301308.SZ）、佰維存儲（688525.SH）、朗科科技等均以從事封裝、測試等中下游環節為主。因此，對于此類中下游廠商而言，吳雅婷告訴記者，如若沒有吃到前期囤貨紅利，當原廠持續漲價，勢必會帶來壓力。
上述朗科科技證券部人士稱，晶圓廠是公司的成本端，對于公司而言，晶圓廠漲價成本會增加，但是當傳導到下游時，可能終端售價也會增加，重點在于兩邊漲幅的對比。“因此晶圓廠漲價對于我們的影響是不一定的，如果下游的需求好可能成本都能轉移過去，但是如果需求不好，我們就漲不了這么多。”
“下游的價格是市場博弈的結果，我們無法預判。”德明利（001309.SZ）證券部工作人員表示道。在此情況下，國內大多產業鏈廠商能否能在本次價格上行中的獲益、獲益幅度大小，仍在博弈中。
此外，今年AI手機、AI PC等AI終端產品開始推向市場，市場對于AI對存儲產品的促進頗具期待。
不過，上述朗科科技工作人員表示，AI手機與普通手機的差別主要集中在內置NPU，除了集成在NPU處理器內的存儲器，對于其他類型處理器的需求增幅并不大。
同時，盡管AI手機帶來增長動能，根據Counterpoint Research預測，2024年全球智能手機出貨量預計將增長3%，幅度難跟上存儲漲價速度。
吳雅婷表示，在存儲產業鏈中，受益于AI需求爆發最大的環節還是主要應用于服務器中的HBM。然而，國內在這一領域與國際頭部廠商仍存在顯著差距，需要進一步的技術提升和市場拓展。
目前，全球HBM市場幾乎被SK海力士、三星和美光三家壟斷。根據yole數據顯示,2023年SK海力士市占率約為53%、三星市占率約為38%、美光科技市占率約為9%。
不過，國產HBM產業鏈已經有起勢征兆。
今年年初，長江存儲控股子公司、Pre-IPO企業武漢新芯發布了《高帶寬存儲芯粒先進封裝技術研發和產線建設》招標項目，項目顯示，公司會利用三維集成多晶圓堆疊技術，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產效率的國產高帶寬存儲器(HBM)產品。擬新增設備16臺套，擬實現月產出能力>3000片(12英寸)。
此外，A股的HBM相關標的主要集中在中下游。
亞威股份旗下韓國GSI公司擁有技術難度較高的存儲芯片測試機業務，并穩定供貨于海力士、安靠等行業龍頭；佰維存儲擬定增募資建設的晶圓級先進封測制造項目可以構建HBM實現的封裝技術基礎；國芯科技此前表示，已與合作伙伴一起正在基于先進工藝開展流片驗證相關chiplet芯片高性能互聯IP技術工作，和上下游合作廠家積極開展包括HBM技術在內的高端芯片封裝合作；香農芯創曾表示，公司作為SK海力士分銷商之一具有HBM代理資質。
