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JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側同相柵極驅動芯片

2025-08-22 來源: 作者:深圳市杰盛微半導體有限公司 原創文章
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關鍵詞: JSM21867STR IRS21867 柵極驅動芯片 替代優勢 多場景應用

在功率電子領域,柵極驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”,其性能直接決定了整機的效率、可靠性與安全性。今天給大家推薦一款國產高性能驅動芯片 ——JSM21867STR,來自杰盛微半導體(JSMSEMI),不僅參數硬核,更能直接替代 IRS21867,為電機驅動、電源轉換等場景提供高性價比解決方案。


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一、產品概述


JSM21867S是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側驅動芯片,具有兩個獨立地傳輸通道。內部集成了高、低側欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出電流能力最大可達4A,其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。IRS21867S采用SOP-8封裝,可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作。


二、核心產品特性


  • 自舉工作的浮動通道

  • 最高工作電壓為 700V兼容

  •  3.3V, 5V和 15V 輸入邏輯

  • dv/dt 耐受能力可達+50 V/nsec

  • Vs負壓耐受能力達-9V

  • 柵極驅動電壓:10V到20V

  • 高、低側欠壓鎖定電路

    --欠壓鎖定正向閩值6V

    --欠壓鎖定負向閥值 5.5V

  • 芯片開通/關斷傳輸延時

    --Ton/Toff =150ns/150ns

  • 高低側延時匹配

  • 驅動電流能力:

    ----拉電流/灌電流=4.0A/4.0A

  • 符合 RoSH 標準

    SOP-8


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三、核心參數大起底:700V 高壓 + 4A 大電流,性能毫不遜色


作為一款專為高壓功率場景設計的驅動芯片,JSM21867STR 的參數表堪稱 “教科書級別”。它支持最高 700V 工作電壓,浮地通道設計讓其輕松應對高壓母線環境,無論是驅動 N 溝道高壓 MOSFET 還是 IGBT,都能穩定輸出驅動力。


驅動能力上更是 “底氣十足”:拉電流和灌電流均可達 4.0A,大電流脈沖輸出能力確保功率器件快速開關,大幅減少開關損耗。動態響應同樣出色,開通傳輸延時(Ton)和關斷傳輸延時(Toff)均低至 150ns,高低側延時匹配誤差≤35ns,高速響應特性讓電路動態性能更優。


兼容性方面,它支持 3.3V、5V、15V 多電平邏輯輸入,無需額外電平轉換電路即可適配不同控制系統,極大簡化了電路設計。更值得一提的是其強悍的抗干擾能力:dV/dt 耐受能力達 + 50V/nsec,Vs 引腳負壓耐受能力達 - 9V,能有效抵御開關過程中產生的尖峰干擾,減少誤動作風險。



四、應用場景全覆蓋,從家電到工業無一不精


憑借優異的性能,JSM21867STR 的應用場景十分廣泛:


  • 電機驅動與控制:無刷電機、伺服驅動器中,高低側同步驅動能力確保電機平穩運行;

  • 電動工具:大電流驅動特性適配高速運轉需求,提升工具續航與效率;

  • 電源轉換系統:逆變器、DC-DC 轉換器中,高壓耐受與低延時特性減少能量損耗;

  • 家電設備:冰箱、空調等白色家電的壓縮機驅動,可靠性設計延長整機壽命。


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五、引腳功能描述


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極限與推薦范圍:

  • 結溫(TJ)最高 150℃,存儲溫度(Ts)-55℃至 150℃,引腳溫度(TL)最高 300℃。

  • 封裝功率(PD):0.625W(TA≤25℃),結到環境熱阻(RthJA)200℃/W。


ESD 額定值:


  • 人體放電模式:最小值 1.5kV;機器放電模式:最小值 500V。



電氣特性(TA=25℃,VCC=VB=15V,CL=1nF):

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六、替代 IRS21867?這三大優勢讓替換毫無壓力


對于正在使用 IRS21867 的工程師來說,JSM21867STR 堪稱 “即插即用” 的理想替代方案,核心優勢體現在三個方面:


1. 封裝與引腳完全兼容
JSM21867STR 采用與 IRS21867 相同的 SOP-8 封裝,引腳定義與功能一一對應:1 腳 VCC(電源)、2 腳 HIN(高側輸入)、3 腳 LIN(低側輸入)、4 腳 COM(地)、5 腳 LO(低側輸出)、6 腳 VS(高側浮動地)、7 腳 HO(高側輸出)、8 腳 VB(高側浮動電源)。無需修改 PCB 布局即可直接替換,完美繼承原有設計成果。


2. 核心參數全面對標
對比關鍵性能指標,JSM21867STR 在驅動電流、耐壓能力、保護閾值等核心參數上均達到或優于 IRS21867 水平。例如,兩者均集成高 / 低側欠壓鎖定電路,JSM21867STR 的欠壓鎖定正向閾值為 6V、負向閾值為 5.5V,與行業標準高度匹配,確保供電不足時的安全保護。


3. 工業級可靠性更勝一籌
JSM21867STR 的工作溫度范圍覆蓋 - 40℃至 125℃,結溫(TJ)最高可達 150℃,存儲溫度(Ts)范圍 - 55℃至 150℃,完全滿足工業級寬溫環境需求。ESD 防護能力同樣出色,人體放電模式(HBM)達 1.5kV,機器放電模式(MM)達 500V,抗靜電能力確保生產與使用過程中的可靠性。





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