Power Integrations推出具有極低Qrr、適用于高效高開關(guān)速度設(shè)計的汽車級Qspeed硅二極管

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號：POWI)日前宣布推出600V 12A的Qspeed二極管，在硅二極管當(dāng)中具有業(yè)界最低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)特性。在25°C時，Qrr僅為14nC，該二極管可提高車載充電器PFC級的效率，可顯著降低PFC MOSFET的溫升。通過AEC-Q101認證的QH12TZ600Q具有與碳化硅(SiC)器件相同的低開關(guān)損耗性能，可是并沒有因為采用昂貴的技術(shù)而帶來成本增加的缺點。

Power Integrations高級產(chǎn)品營銷經(jīng)理Edward Ong表示：“這些新型Qspeed二極管的Qrr是次優(yōu)超快速硅二極管的一半，可實現(xiàn)非常高的系統(tǒng)效率。這對于需要更高的開關(guān)頻率以減小體積和重量的汽車車載充電器應(yīng)用尤為重要，并且能使Qspeed二極管取代SiC器件。”

QH12TZ600Q采用混合PiN-Schottky二極管技術(shù)來實現(xiàn)高性能。其平滑的反向恢復(fù)電流轉(zhuǎn)換特性不僅提高了效率，還降低了EMI和峰值反向電壓應(yīng)力，在車載充電器中用作輸出整流管時無需使用緩沖電路。新器件采用緊湊的2.5kV隔離式TO-220封裝，可直接安裝到金屬散熱片上，有利于實現(xiàn)出色的溫升性能表現(xiàn)。