中芯國際：FinFET工藝已量產 產能1.5萬片

8月5日晚，中芯國際發表了2021年Q2財報，營收13.4億美元，同比增長43.2%，環比增長21,8%，歸母凈利潤為6.88億美元，環比增長332.9%，同比增長398.5%。

在財報電話會上，中芯國際聯席CEO趙海軍也透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經達產，每月1.5萬片，客戶多樣化，不同的產品平臺都導入了。(這部分)產能處于緊俏狀態，客戶不斷進來。”

根據之前的報道，中芯國際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm，目前1.5萬片產能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已經試產，但產能不會有多大。

根據中芯國際聯席CEO梁孟松博此前公布的信息顯示，N＋1工藝和現有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

從邏輯面積縮小的數據來看，與7nm工藝相近。

梁孟松博士也表示，N＋1代工藝在功耗及穩定性上跟7nm工藝非常相似，但性能要低一些（業界標準是提升35%），所以中芯國際的N＋1工藝主要面向低功耗應用的。

而在N＋1之后，中芯國際還會有N＋2，這兩種工藝在功耗上表現差不多，區別在于性能及成本，N＋2顯然是面向高性能的，成本也會增加。

此外，梁孟松還透露，中芯國際的28nm、14nm、12nm、N+1等技術均已進入規模量產，7nm技術開發已經完成，今年4月可以進入風險量產，5nm、3nm最關鍵也是最艱巨的8大項技術也已經有序展開，只等EUV極紫外光刻機到來，就可以進入全面開發階段。