三星：3nm GAA技術(shù)已領(lǐng)先，取代臺(tái)積電指日可待！

三星電子決心要趕在臺(tái)積電前，將新一代3nm GAA制程技術(shù)商業(yè)化。

據(jù)Business Korea報(bào)道，三星Device Solution事業(yè)部技術(shù)負(fù)責(zé)人Jeong Eun-seung于25日在線上召開的三星科技暨事業(yè)論壇（Samsung Tech & Career Forum）上指出，“我們的GAA制程開發(fā)進(jìn)度領(lǐng)先主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手（臺(tái)積電），若能確實(shí)鞏固技術(shù)，則三星的晶圓代工事業(yè)有望進(jìn)一步茁壯成長(zhǎng)。

GAA是實(shí)現(xiàn)3nm制程技術(shù)的重要一環(huán)，近期有望獲全球頂尖的晶圓代工商采納，其關(guān)鍵在將晶體管架構(gòu)從3D（FinFET）轉(zhuǎn)換成4D（GAA）。

三星已在2019年5月發(fā)布了3nm GAA制程技術(shù)的物理設(shè)計(jì)套件（PDK），并于2020年通過(guò)制程技術(shù)認(rèn)證。該套件使三星3nm GAA 結(jié)構(gòu)制程技術(shù)可用于高性能計(jì)算（HPC）、5G、移動(dòng)和高端人工智能（AI）應(yīng)用芯片生產(chǎn)。

三星指出，2019年跟客戶測(cè)試3nm GAA設(shè)計(jì)套件后發(fā)現(xiàn)，這種技術(shù)可將芯片片面積縮減45%、效能提升50%。

今年6月，三星對(duì)宣布其基于GAA技術(shù)的3nm制程成已成功流片（Tape Out）。

按照三星的說(shuō)法，與5nm工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

Jeong在25日還表示，“三星2017年才成立晶圓代工事業(yè)部，但憑借公司在存儲(chǔ)制造方面的專長(zhǎng)，取代臺(tái)積電指日可待。”他舉例指出，三星曾領(lǐng)先臺(tái)積電開發(fā)出一款采用FinFET技術(shù)的14MHz產(chǎn)品。

不過(guò)，根據(jù)資料顯示，2011~2020年期間，全球有31.4%的GAA專利來(lái)自臺(tái)積電，僅20.6%來(lái)自三星。