業(yè)內(nèi)曝三星 3nm GAA 存在漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題，難與臺(tái)積電匹敵

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子的 3nm GAA 工藝目前仍面臨著漏電等關(guān)鍵技術(shù)問題，消息人士稱，該工藝在性能和成本方面可能也不如臺(tái)積電的 3nm FinFET 工藝。

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，上述人士表示，三星可能最早于 2022 年將其 3nm GAA 工藝量產(chǎn)，但由于成本高和性能不理想，可能無法吸引到臺(tái)積電 3nm FinFET 工藝所獲得的客戶，后者據(jù)稱已經(jīng)獲得了蘋果和英特爾的訂單。

臺(tái)積電有望在 2022 年下半年將其 3nm FinFET 工藝推向量產(chǎn)，CEO 魏哲家在最近的財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，“N3 將是我們 N5 的另一個(gè)全面擴(kuò)展，并將采用 FinFET 晶體管結(jié)構(gòu)，為我們的客戶提供最佳的技術(shù)成熟度、性能和成本。”

在失去蘋果 iPhone 處理器訂單后，三星在尖端芯片競爭中落后于臺(tái)積電。據(jù)市場觀察人士稱，從蘋果手中奪回訂單將是這家韓國供應(yīng)商贏得 3nm 競爭的關(guān)鍵。