臺(tái)積電董事長(zhǎng)稱(chēng)美光的存儲(chǔ)技術(shù)已超過(guò)三星，美光的技術(shù)如何？

近日，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音在出席活動(dòng)時(shí)表示，美光的存儲(chǔ)技術(shù)已經(jīng)超越三星，引來(lái)臺(tái)積電與美光加深合作的猜測(cè)。

據(jù)公開(kāi)資料顯示，在 NAND Flash 領(lǐng)域，美光確有后來(lái)居上的態(tài)勢(shì)，美光的 176 層堆疊 3D NAND Flash 開(kāi)始大量生產(chǎn)，但三星目前仍停留在 128 層。

在 DRAM 技術(shù)方面，美光原落后三星，但如今追趕速度加快。今年第一季已領(lǐng)先三星、SK 海力士導(dǎo)入 1α 制程量產(chǎn)，更預(yù)計(jì)搶先在 2022 年推進(jìn)到 1β 制程。臺(tái)媒表示，美光與三星的存儲(chǔ)龍頭之爭(zhēng)，未來(lái)幾年將很有看頭。

在代工方面，三星一直是臺(tái)積電的最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但在存儲(chǔ)方面，三星擁有優(yōu)勢(shì)，以至于一些業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，如果三星能夠在代工過(guò)程中充分整合存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)，將會(huì)在與臺(tái)積電的對(duì)抗中保持競(jìng)爭(zhēng)力。

專(zhuān)家表示，截至最新，美光半導(dǎo)體及其關(guān)聯(lián)公司在126個(gè)國(guó)家／地區(qū)中，共有5萬(wàn)余件專(zhuān)利申請(qǐng)。而根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，美光半導(dǎo)體以及關(guān)聯(lián)公司的專(zhuān)利中有17，818件專(zhuān)利是與 “專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備”有關(guān)，有9，266件專(zhuān)利是與 “由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件”有關(guān)。

此外，根據(jù)目標(biāo)市場(chǎng)國(guó)的數(shù)據(jù)可知，美光半導(dǎo)體專(zhuān)利主要分布于以下國(guó)家／地區(qū)，它們分別是美國(guó)、韓國(guó)、德國(guó)、新加坡、日本等國(guó)家。