東芝、羅姆聚焦功率半導體，目標2030年耗損減半

據(jù)日經(jīng)新聞報道，日本企業(yè)東芝（Toshiba）、羅姆（Rohm）和Denso（電裝）等開始開發(fā)更節(jié)能的功率半導體技術(shù)，目標是2030 年推出可控制、調(diào)節(jié)設(shè)備的功率半導體，可以讓電壓轉(zhuǎn)換時減少一半的能量耗損。目前日本掌握全球逾20%功率半導體市場，希望2030 年將占比提升至40%。

這三家公司的下一代功率半導體將使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）作為晶圓材料，有助于節(jié)能。

其中，東芝元件及存儲裝置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage）負責開發(fā)用于可再生能源及服務(wù)器電源的技術(shù)。包括正在開發(fā)用于鐵路、海上風力發(fā)電和數(shù)據(jù)中心等的芯片產(chǎn)品，預(yù)計2023 年將SiC 功率芯片產(chǎn)量提高至2020 年的三倍以上，2025年產(chǎn)量的10 倍；Denso 則主要開發(fā)電動車的設(shè)備技術(shù)；羅姆則專注在工業(yè)設(shè)備的技術(shù)。

值得一提的是，今年2月4日，東芝電子元件及存儲裝置公司已宣布將在日本石川縣的主要分立器件生產(chǎn)基地（加賀東芝電子公司）打造一座新的12吋晶圓制造設(shè)施，以擴大功率半導體產(chǎn)能。總投資約1,000億日圓（8.73億美元），預(yù)計2025年3月投產(chǎn)。

東芝表示，該12吋晶圓廠（100%使用再生能源）建造將分兩個階段進行，以便根據(jù)市場趨勢優(yōu)化投資步伐，第一階段生產(chǎn)計劃將于2024會計年度內(nèi)啟動。一旦第一階段產(chǎn)能滿載，旗下功率半導體產(chǎn)能將達到2021年度的2.5倍。

根據(jù)東京研究公司Fuji Keizai 預(yù)測，2030 年國際功率半導體市場將達4 兆日元，比2019 年成長50%。日本政府預(yù)測，若日本下一代電源芯片被廣泛采用，有助于2030 年減少全球1.58 億噸二氧化碳排放，2050 年累計再減少3.41 億噸。