Microchip推出業界領先的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件， 實現更高的效率與可靠性
3.3kV碳化硅MOSFET和肖特基勢壘二極管（SBD）擴大了設計人員對交通、能源和工業系統中的高壓電力電子產品的選擇范圍
牽引功率單元（TPU）、輔助動力裝置（APU）、固態變壓器（SST）、工業電機驅動和能源基礎設施解決方案的系統設計人員需要借助高壓開關技術來提高效率和可靠性，并減小系統尺寸和重量。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產品組合，推出業界導通電阻【RDS(on)】最低的3.3 kV碳化硅MOSFET和額定電流最高的碳化硅SBD，讓設計人員可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。Microchip擴大的碳化硅產品組合為電氣化交通、可再生能源、航空航天和工業應用的設計人員開發更小、更輕和更高效的解決方案提供了便利。
許多基于硅的設計在提高效率、降低系統成本和應用創新方面已經達到極限。雖然高壓碳化硅為實現這些目標提供了一種有效的替代方案，但到目前為止，3.3 kV碳化硅功率器件的市場供應仍然有限。Microchip已能提供700V、1200V和1700V裸片、分立器件、模塊和數字柵極驅動器等碳化硅解決方案， 3.3 kV MOSFET和SBD的加入使這一系列解決方案更加豐富。
Microchip的3.3 kV碳化硅功率器件包括業界最低導通電阻為25毫歐（mOhm）的MOSFET和業界最高額定電流為90安培的SBD。MOSFET和SBD均提供裸片或封裝形式。這些更強的性能水平能夠幫助設計人員簡化設計，創建功率更高的系統，并使用更少的并聯元件來實現更小、更輕和更高效的電源解決方案。
Microchip分立產品業務部副總裁Leon Gross表示：“我們專注于開發能為客戶提供快速實現系統創新能力的解決方案，并幫助其最終產品更快地取得競爭優勢。我們全新的3.3 kV碳化硅功率產品系列能夠讓客戶輕松、快速而充滿信心地采用高壓碳化硅，與基于硅的設計相比，這一激動人心的技術帶來的諸多優勢能讓客戶從中受益。”
在過去三年里，Microchip已經發布了數百款碳化硅功率器件和解決方案，確保設計人員能夠找到滿足其應用需求的合適的電壓、電流和封裝。Microchip在設計所有碳化硅MOSFET和SBD時都把客戶的信任放在心中，提供業界領先的產品耐用性和可靠性。公司遵循由客戶決定何時停產的慣例，只要客戶需要，Microchip就會繼續生產這些產品。
客戶可以將Microchip 的碳化硅產品與公司的其他器件相結合，包括8位、16位和32位單片機（MCU）、電源管理器件、模擬傳感器、觸摸和手勢控制器以及無線連接解決方案，從而以較低的系統總成本構建完整的系統解決方案。
