ADS7951SBRGET 12 位、1 MSPS、8 通道、單端、SAR ADC

S5A63157DCKR 5V、2：1 （SPDT）、1 通道通用模擬開關，具有過沖和引擎蓋下保護

TPS72325DBVT ACTIVE 200mA、負、可調低壓差穩壓器，帶使能功能

SN74CB3Q3244PWR 具有 2 個控制輸入的 3.3V、1:1 (SPST)、8 通道 FET 高帶寬總線開關

LP2951-30DRGR 具有電源正常指示和使能功能的汽車類 100mA、30V、低壓降穩壓器

TLV3502AIDCN 4.5ns 軌到軌比較器

TPS25940LRVCT 具有反向電流阻斷功能和 DevSleep 模式的 2.7V 至 18V、42mΩ、0.6A 至 5.2A

SN74LS540NS 具有三態輸出的 8 通道、4.75V 至 5.25V 雙極反相器

OMAPL138EZCEA3 數字信號處理器和控制器 - DSP, DSC C6000 DSP+ARM

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BYNB DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BYMA DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1866Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BYK0 DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BMMA DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度-90 °~ 95 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BMK0 DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度-40 °~ 95 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BCNB DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率2133Mbps 工作電壓1.5V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BCMA DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1866Mbps 工作電壓1.5V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B2G0846F-BCK0 DDR3適合眾多計算環境 容量2Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.5V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B1G1646I-BYMA DDR3適合眾多計算環境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作電壓1.35V 溫度0 °~ 85 C° 78FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B1G1646I-BYK0 DDR3 適合眾多計算環境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度0° ~ 85 C° 96FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B1G1646I-BMMA DDR3適合眾多計算環境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度-40~+95° 96FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B1G1646I-BMK0 DDR3適合眾多計算環境 容量1Gb 速率1600Mbps 工作電壓1.35V 溫度-40~+95° 96FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B1G1646I-BHMA DDR3適合眾多計算環境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作電壓1.35V 溫度-40~+105° 96FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B1G1646I-BFMA DDR3適合眾多計算環境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作電壓1.35V 溫度-40~+95° 96FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B1G1646I-BCNB DDR3適合眾多計算環境 容量1Gb 速率2133Mbps 工作電壓1.5V 溫度0~+85 96FBGA封裝

三星/SAMSUNG 內存芯片K4B1G1646I-BCMA DDR3適合眾多計算環境 容量1Gb 速率1866Mbps 工作電壓1.5V 溫度0~+85 96FBGA封裝