SK 海力士擬年內(nèi)試產(chǎn) 238 層 NAND 閃存

SK 海力士在近日舉行的二季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上透露，計(jì)劃在年內(nèi)完成 238 層 NAND 試產(chǎn)，并在 2023 年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

 

針對美光近期量產(chǎn) 232 層 NAND 的動(dòng)態(tài)，海力士方面表示各家廠商產(chǎn)品發(fā)布節(jié)奏不同，存儲市場目前應(yīng)專注于提高盈利能力，海力士的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)行業(yè)最高水平的盈利能力。

公司方面還表示，計(jì)劃今年年底實(shí)現(xiàn)主力產(chǎn)品 176 層 4D NAND 以晶圓形式出貨占比 70%，以進(jìn)一步提升毛利率。

針對 DRAM 市場行情，海力士方面表示，盡管目前 DRAM 的平均售價(jià)（ASP）走低，但成本下降足以彌補(bǔ) ASP 變化，公司方面預(yù)計(jì)今年 DRAM 出貨量將增加約 10%，NAND 閃存出貨量增加 20%。