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廣東合科泰實(shí)業(yè)有限公司

省級“專精特新”

高新企業(yè)

聯(lián)系人：黃先生

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AO4953在便攜式設(shè)備BMS中的應(yīng)用與設(shè)計(jì)

隨著 TWS 耳機(jī)、智能手表、便攜儲能電源等設(shè)備的普及，電池管理系統(tǒng)（BMS）面臨三大核心挑戰(zhàn)：體積微型化、效率最大化、保護(hù)精準(zhǔn)化。傳統(tǒng)分立器件難以兼顧小封裝與高性能，而合科泰 AO4953 憑借雙 P 溝道集成設(shè)計(jì)與優(yōu)異的電學(xué)特性，成為破解上述難題的理想方案。本文將從器件特性、應(yīng)用場景、設(shè)計(jì)實(shí)踐三方面，解析 AO4953 如何重塑便攜式設(shè)備 BMS 的設(shè)計(jì)邏輯。

2025-04-29 閱讀：427 關(guān)鍵詞：便攜式設(shè)備 BMS AO4953 電池管理技術(shù)創(chuàng)新
MOS管HKTQ50N03可用于大電流開關(guān)及高效電能管理

MOSFET在電子電路中具有多種重要作用，主要作為電壓控制型器件，實(shí)現(xiàn)大電流功率控制及電路通斷的高效控制等。本期，合科泰給大家推薦一款MOS管HKTQ50N03，可用于大電流功率控制以及高效電能管理。

2025-04-28 閱讀：739
一文讀懂理想二極管的原理與應(yīng)用

本文聚焦理想二極管，合科泰深度剖析其技術(shù)優(yōu)勢、多元應(yīng)用場景及選型挑戰(zhàn)。同時(shí)，著重闡釋合科泰針對理想二極管方向的發(fā)展路徑與創(chuàng)新解決方案，為電子領(lǐng)域相關(guān)設(shè)計(jì)與應(yīng)用提供全面參考。

2025-04-24 閱讀：674 關(guān)鍵詞：零壓降MOS技術(shù) GaN充電器應(yīng)用反向輸入保護(hù) 協(xié)同設(shè)計(jì)策略分立方案成本優(yōu)勢
分立器件可靠性：從工業(yè)死機(jī)到汽車故障的隱形防線

本文聚焦分立器件可靠性，指出35%電子設(shè)備失效源于選型不當(dāng)。解析可靠性三大核心指標(biāo)（標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證、參數(shù)分析、實(shí)測驗(yàn)證）及選型三大黃金法則，強(qiáng)調(diào)避免常溫參數(shù)忽視、盲目進(jìn)口等誤區(qū)。合科泰器件適配多場景，助力提升設(shè)備穩(wěn)定性與性價(jià)比。

2025-04-23 閱讀：745 關(guān)鍵詞：分立器件可靠性選型核心指標(biāo) 黃金法則合科泰
ESD防護(hù)等級是越高越好嗎？三大選型誤區(qū)解析

本文探討ESD防護(hù)等級是否越高越好，解析其分級標(biāo)準(zhǔn)及接觸/空氣放電差異，指出高等級可能帶來的成本增加、信號失真等問題。結(jié)合手機(jī)、工業(yè)控制、汽車電子等場景，強(qiáng)調(diào)需兼顧響應(yīng)速度、寄生電容等參數(shù)，合科泰適配器件可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)防護(hù)匹配。

2025-04-22 閱讀：1024 關(guān)鍵詞： ESD防護(hù) 靜電放電防護(hù)等級應(yīng)用場景選擇誤區(qū)
GaN充電器高頻化之路：分立器件如何破解電磁干擾與協(xié)同難題？

本文針對 GaN 器件高頻化挑戰(zhàn)，合科泰分析寄生電感振蕩與驅(qū)動(dòng)信號失真問題，提出通過器件選型、PCB 布局及電路優(yōu)化等方案，提升高頻應(yīng)用性能與可靠性。

2025-04-11 閱讀：1067 關(guān)鍵詞：氮化鎵GaN PD快充 EMI 寄生參數(shù) 分立器件
深圳企業(yè)如何破解智能照明一致性難題？工業(yè)級 MOSFET 技術(shù)白皮書發(fā)布

在智能照明系統(tǒng)中，功率 MOSFET 作為驅(qū)動(dòng)電路核心器件，其選型直接影響燈具的亮度一致性、能效及壽命。本文針對工程師在器件選型中的核心痛點(diǎn)，系統(tǒng)解析導(dǎo)通電阻、耐溫范圍、開關(guān)速度、耐壓值四大關(guān)鍵參數(shù)，結(jié)合合科泰工業(yè)級器件應(yīng)用實(shí)踐，提出場景化選型策略：家用照明需關(guān)注長壽命與低發(fā)熱，商業(yè)照明側(cè)重高溫穩(wěn)定。

2025-04-10 閱讀：973 關(guān)鍵詞：功率MOSFET 智能照明選型參數(shù) 行業(yè)趨勢選型技巧
關(guān)稅高壓下國產(chǎn)功率器件如何保障工業(yè)電源穩(wěn)定運(yùn)行？

2025年4月10日起，我國對原產(chǎn)于美國的所有進(jìn)口商品，加征34%關(guān)稅。可預(yù)見的是，此舉將直接導(dǎo)致進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備和高端芯片成本增加，汽車制造、通信基站等應(yīng)用領(lǐng)域，國產(chǎn)替代進(jìn)程將持續(xù)加速。對工業(yè)電源領(lǐng)域而言，依賴進(jìn)口功率器件的企業(yè)面臨成本劇增、供應(yīng)不穩(wěn)定等難題，嚴(yán)重影響工業(yè)電源的穩(wěn)定運(yùn)行。

2025-04-08 閱讀：755 關(guān)鍵詞：國產(chǎn)功率器件工業(yè)電源國產(chǎn)替代高端芯片關(guān)稅
MOS管從傳統(tǒng)封裝到先進(jìn)封裝的演進(jìn)

隨著電子設(shè)備小型化及摩爾定律趨緩，MOS管封裝技術(shù)從傳統(tǒng)TO封裝向QFN和BGA演進(jìn)。驅(qū)動(dòng)因素包括高頻/高集成需求、納米材料及3D工藝突破。合科泰推出多系列產(chǎn)品，其中先進(jìn)封裝MOS覆蓋消費(fèi)電子、汽車等高功率場景，滿足高效散熱及高可靠性要求。

2025-04-03 閱讀：821 關(guān)鍵詞： MOS管封裝技術(shù) 傳統(tǒng)封裝先進(jìn)封裝高端封裝電子元器件
硅基MOS管制造的八大核心工藝步驟解析

新能源汽車、5G、AI推動(dòng)MOS管需求激增，國產(chǎn)替代加速工藝升級。合科泰MOS管覆蓋多場景需求，型號如HKTQ30N03（高頻開關(guān)）、HKTG120N34（工業(yè)高壓）等，具備低導(dǎo)通電阻（1.5mΩ-9.8mΩ）、高耐壓（30V-60V）、大電流（30A-360A）優(yōu)勢，適配電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理等應(yīng)用。

2025-03-31 閱讀：809 關(guān)鍵詞：硅基MOS管制造工藝 MOS管原理國產(chǎn)替代品質(zhì)管理
喜報(bào)！合科泰半導(dǎo)體榮獲“2024-2025中國半導(dǎo)體封測最佳品牌企業(yè)”

2025年3月25日，?中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝大會(huì)在上海浦東開幕，吸引超600家行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)參會(huì)，聚焦先進(jìn)封裝技術(shù)的前沿趨勢與產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)，搭建高端合作平臺。在頒獎(jiǎng)典禮中，?合科泰從267家提名企業(yè)中突圍，斬獲?“2024-2025中國半導(dǎo)體封測最佳品牌企業(yè)”?。該獎(jiǎng)項(xiàng)基于創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)迭代、品牌影響力等維度綜合評估，標(biāo)志著合科泰在封測領(lǐng)域的行業(yè)標(biāo)桿地位。

2025-03-28 閱讀：877 關(guān)鍵詞：合科泰半導(dǎo)體封測最佳品牌企業(yè) 技術(shù)創(chuàng)新
集團(tuán)三地同賀——春茗家宴啟新程，投產(chǎn)慶典譜華章

2025年3月，合科泰集團(tuán)在四川南充智能制造基地順利投產(chǎn)后，于東莞、深圳、南充三地同步舉辦春茗家宴。此次活動(dòng)既是對南充基地投產(chǎn)的慶祝，也是對集團(tuán)三地員工凝聚力的強(qiáng)化，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局的深化與區(qū)域協(xié)同發(fā)展的新起點(diǎn)。

2025-03-28 閱讀：422

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