新能源汽車IGBT模塊中MOS管的關鍵作用
隨著新能源汽車技術的普及，對電力控制系統IGBT的需要也隨之提升，今天咱們重點講講新能源汽車IGBT中的關鍵分立器件——MOS管，到底是如何促進IGBT的電力控制。
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高效能搭檔高壓MOSFET管：工業與新能源領域的可靠選擇！
選型攻略：高壓MOSFET管在工業與新能源領域應用 -
動態 | 政企共慶智能制造新標桿！合科泰南充智造基地啟用慶典圓滿成功
2025年3月12日，合科泰集團南充智能制造基地投產慶典在四川省南充市順利舉行。此次基地投產不僅標志著合科泰集團在智能制造領域的又一重大突破，也預示著公司未來發展的新篇章。2025-03-14 閱讀：553 -
小器件，大能量：人型機器人方案的芯動力
從工廠流水線到家庭服務，人形機器人正掀起新一輪革命。但無論是奔跑跳躍的關節電機，還是精準避障的傳感器，背后都離不開最基礎的“隱形功臣”——二極管、三極管、MOS管。這些看似簡單的分立器件，正是機器人高效運行、穩定續航的“底層密碼”以下為您推薦TO-252封裝的HKTD80N062025-03-14 閱讀：480 -
性能先鋒N溝道MOSFET：開關、放大和驅動領域的得力伙伴！
N溝道MOSFET通過控制柵源電壓來控制源漏間電子通路的導通與截止。當柵源電壓高于閾值電壓時，柵極下方會形成N型導電溝道，源極電子在電場作用下流向漏極，實現電流導通，且改變柵源電壓可調節溝道寬窄和漏極電流。 -
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最大漏源電壓達500V，這款MOS管的應用場景有哪些？
本期介紹的這款MOS管在高壓應用場景中具有出色表現。這款MOS管具有很好的電氣性能，采用N溝道制作，其能承受的最大漏源電壓達500V，柵源電壓±30V，連續漏極電流5A，漏源導通電阻1.45歐姆，最小柵極閾值電壓2V，最大柵極閾值電壓4V，耗散功率22mW。產品具有開關速度快，適用于開關電路，效率高，耐壓值較高，適合很多需要耐高壓的電路場景。耐電流能力強，產品導通電阻低，柵極驅動電壓低，在開關效率上表出色，同時，它的低功耗特點使得在通訊、物聯網等電路上應用很廣。 -
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